Simon Sze

Simon Min Sze (Nanchino, 21 marzo 1936 – 6 novembre 2023[1]) è stato un ingegnere elettrico taiwanese.

Biografia

Dopo essersi laureato all'Università Nazionale di Taiwan nel 1957, ottenne un master all'Università di Washington nel 1960 e un dottorato alla Stanford University nel 1963. Lavorò per i Bell Labs fino al 1990, anno in cui tornò a Taiwan per entrare nella facoltà dell'NCTU. Sze divenne noto per il suo operare nella fisica e tecnologia dei semiconduttori, incluso la sua scoperta con Dawon Kahng del floating-gate transistor,[2] ora ampiamente utilizzato nei dispositivi di memoria non volatile a semiconduttore. Pubblicò molti libri tra cui Fisica dei Dispositivi a Semiconduttore, uno dei testi più usati in questo campo. Sze ricevette il J. J. Ebers Award nel 1991 per la sua ricerca nel settore nei dispositivi elettronici.[3]

Note

  1. ^ (EN) Simon M. Sze obituary, su www.legacy.com, 8 novembre 2023. URL consultato l'8 novembre 2023.
  2. ^ D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288–1295.
  3. ^ Electron Devices Society J.J. Ebers Award

Bibliografia

  • Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ISBN 0-471-84290-7; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, ISBN 0-471-14323-5.
  • Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ISBN 0-471-33372-7, disponibile in italiano (Fisica dei dispositivi a semiconduttore - traduzione di Andrea Frova - collana di fisica pura e applicata - Milano, Tamburini, 1973)
  • VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ISBN 0-07-062686-3; 2nd ed., 1988, ISBN 0-07-062735-5.

Collegamenti esterni

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